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文献
J-GLOBAL ID:200902131037418314   整理番号:97A0324162

反応性スパッタリングにより作成したSnO2薄膜の電気的性質及びトポグラフィー

Electrical properties and topography of SnO2 thin films prepared by reactive sputtering.
著者 (4件):
BROUSSEAU J-L
(Univ. Miami, FL, USA)
BOURQUE H
(Univ. Miami, FL, USA)
TESSIER A
(Univ. Miami, FL, USA)
LEBLANC R M
(Univ. Miami, FL, USA)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 108  号:ページ: 351-358  発行年: 1997年03月 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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