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著者 (3件)：
資料名：
巻： 111 号： 2 ページ： 562-574 発行年： 1997年02月
JST資料番号： R0135A ISSN： 0044-4510 CODEN： ZETFA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ロシア (RUS) 言語： ロシア語 (RU)
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文献
J-GLOBAL ID：200902131041644515
整理番号：97A0603792
О реализации состояния типа сильно легированного полностью компенсированного полупроводника в кристаллическом полупроводнике с глубокой примесной зоной.
ДАУНОВ М И
,
КАМИЛОВ И К
,
МАГОМЕДОВ А Б
資料名：
Zhurnal Ehksperimental’noj i Teoreticheskoj Fiziki
(Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki)
巻： 111 号： 2 ページ： 562-574 発行年： 1997年02月
JST資料番号： R0135A ISSN： 0044-4510 CODEN： ZETFA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ロシア (RUS) 言語： ロシア語 (RU)
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