文献
J-GLOBAL ID:200902131050535389
整理番号:94A0429544
分子ビームエピタキシャル成長したIII-V化合物半導体のヘテロ界面形成過程に対する実時間低エネルギーイオン散乱分光法の適用
Application of real-time low-energy ion scattering spectroscopy to heterointerface formation processes of molecular beam epitaxially grown III-V compound semiconductors.
著者 (7件):
TAMURA M
(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)
,
SAITOH T
(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba R&D Center, Kawasaki, JPN)
,
HASHIMOTO A
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
OHKOUCHI S
(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)
,
IKOMA N
(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)
,
MORISHITA Y
(Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
85
号:
1/4
ページ:
404-413
発行年:
1994年03月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)