文献
J-GLOBAL ID:200902165031522278
整理番号:98A0804313
微斜面切断のa面サファイア基板上に成長させたGaN層の電気的および構造的性質の強化
Enhancement of electrical and structural properties of GaN layers grown on vicinal-cut, a-plane sapphire substrates.
著者 (7件):
FATEMI M
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
WICKENDEN A E
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
KOLESKE D D
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
TWIGG M E
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
FREITAS J A JR
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
HENRY R L
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
GORMAN R J
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
73
号:
5
ページ:
608-610
発行年:
1998年08月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)