文献
J-GLOBAL ID:200902165074835482
整理番号:96A0176614
I-線リソグラフィーとBARCを用いた高性能0.3μmCMOS
High Performance 0.3μm CMOS using I-Line Lithography and BARC.
著者 (9件):
THAKAR G V
(Texas Instruments, TX, USA)
,
MADAN S K
(Texas Instruments, TX, USA)
,
GARZA C M
(Texas Instruments, TX, USA)
,
KRISA W L
(Texas Instruments, TX, USA)
,
WISE J L
(Texas Instruments, TX, USA)
,
LEE C K
(Texas Instruments, TX, USA)
,
MCKEE J A
(Texas Instruments, TX, USA)
,
APPEL A T
(Texas Instruments, TX, USA)
,
CHAPMAN R A
(Texas Instruments, TX, USA)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1995
ページ:
75-76
発行年:
1995年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)