文献
J-GLOBAL ID:200902165122252052
整理番号:99A0021297
不均一な基板ドーピングをもつディープサブミクロンMOSFETに関する新しいしきい値電圧モデル
A new threshold voltage model for deep-submicron MOSFETs with nonuniform substrate dopings.
著者 (2件):
ZHANG W-L
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
YANG Z-L
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
38
号:
9
ページ:
1465-1469
発行年:
1998年09月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)