文献
J-GLOBAL ID:200902165166108862
整理番号:95A0790060
プレーナ素子における横方向ドーパント拡散と接合深さのEBIC決定
EBIC determination of lateral dopant diffusion and junction depth in planar devices.
著者 (3件):
BOUDJANI A
(Univ. Djillali Liabes, Sidi Bel Abbes, DZA)
,
SIEBER B
(USTL, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
BOUDJANI L
(Univ. Djillali Liabes, Sidi Bel Abbes, DZA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
10
号:
8
ページ:
1151-1155
発行年:
1995年08月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)