文献
J-GLOBAL ID:200902165166355525
整理番号:01A0387258
Cu(In,Ga)Se2黄銅鉱半導体の禁止帯幅傾斜による高効率太陽電池への新しいアプローチ
A new approach to high-efficiency solar cells by band gap grading in Cu(In,Ga)Se2 chalcopyrite semiconductors.
著者 (4件):
DULLWEBER T
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
HANNA G
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
RAU U
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
SCHOCK H W
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻:
67
号:
1/4
ページ:
145-150
発行年:
2001年03月
JST資料番号:
D0513C
ISSN:
0927-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)