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文献
J-GLOBAL ID:200902165213139631   整理番号:01A0039802

低電圧フラッシュメモリ用センス回路の設計

Design of a Sense Circuit for Low-Voltage Flash Memories.
著者 (4件):
TANZAWA T
(Development Center, Yokohama, JPN)
TAKANO Y
(Development Center, Yokohama, JPN)
TAURA T
(Development Center, Yokohama, JPN)
ATSUMI S
(Development Center, Yokohama, JPN)

資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

巻: 35  号: 10  ページ: 1415-1421  発行年: 2000年10月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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