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著者 (9件)：
資料名：
巻： 25 号： 6 ページ： 387-389 発行年： 2004年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902212378348411
整理番号：04A0462302
微細化トランジスタの候補となる,部分絶縁化電界効果トランジスタ(PiFET)
A Partially Insulated Field-Effect Transistor (PiFET) as a Candidate for Scaled Transistors
YEO K H
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
OH C W
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM S M
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM M S
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE S Y
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
HAN S Y
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE D Y
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
YOON B M
(Samsung Electronics Co., Kyungki-Do, KOR)
,
CHUNG I
(Sungkyunkwan Univ., Kyungki-Do, KOR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 25 号： 6 ページ： 387-389 発行年： 2004年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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