文献
J-GLOBAL ID:200902212389485356
整理番号:08A0830312
HiSIM2に組込んだ最新のMOSFET技術用ゲート電流モデル
A Gate-Current Model for Advanced MOSFET Technologies Implemented into HiSIM2
著者 (6件):
INAGAKI Ryosuke
(Waseda Univ., Fukuoka)
,
INAGAKI Ryosuke
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kanagawa, JPN)
,
SADACHIKA Norio
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
NAVARRO Dondee
(Silvaco Japan Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
MIURA-MATTAUSCH Mitiko
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
INOUE Yasuaki
(Waseda Univ., Fukuoka)
資料名:
IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering
(IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering)
巻:
3
号:
1
ページ:
64-71
発行年:
2008年01月
JST資料番号:
W1854A
ISSN:
1931-4973
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)