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著者 (6件)：
資料名：
巻： 44 号： 4A ページ： 1752-1755 発行年： 2005年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902212390614720
整理番号：05A0494591
Si基板上の転移のないInxGa1-xP1-yNy/GaP1-zNzの二重ヘテロ構造の光放射ダイオード
Dislocation-Free InxGa1-xP1-yNy/GaP1-zNz Double-Heterostructure Light Emitting Diode on Si Substrate
MOON Soo Young
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
YONEZU Hiroo
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
FURUKAWA Yuzo
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
KIM Sung Man
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
MORITA Yoshiro
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
,
WAKAHARA Akihiro
(Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4A ページ： 1752-1755 発行年： 2005年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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