文献
J-GLOBAL ID:200902212392681603
整理番号:08A1198213
ゲルマニウムソースストレッサーとドレインストレッサーを持つ歪シリコンナノワイヤトランジスタ
Strained Silicon Nanowire Transistors With Germanium Source and Drain Stressors
著者 (9件):
LIOW Tsung-Yang
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LIOW Tsung-Yang
(Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore)
,
TAN Kian-Ming
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LEE Rinus Tek Po
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
ZHU Ming
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
TAN Ben Lian-Huat
(Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore)
,
BALASUBRAMANIAN N.
(Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore)
,
YEO Yee-Chia
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YEO Yee-Chia
(Agency for Sci., Technol. and Res.(A*STAR), Singapore)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
55
号:
11
ページ:
3048-3055
発行年:
2008年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)