文献
J-GLOBAL ID:200902212405400447
整理番号:04A0661314
MEMSデバイスの静電浮上力に対するギャップ変化の二重BEMを用いた計算による研究
Computational study of variations in gap size for the electrostatic levitating force of MEMS device using dual BEM
著者 (3件):
CHYUAN S-W
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIAO Y-S
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN J-T
(National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN)
資料名:
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻:
35
号:
9
ページ:
739-748
発行年:
2004年09月
JST資料番号:
A0186A
ISSN:
0026-2692
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)