文献
J-GLOBAL ID:200902212406964506
整理番号:05A0752925
1段階および2段階の急速熱ケイ化プロセスによって形成したNiSi/Si界面の電気的特性評価
Electrical characterization of NiSi/Si interfaces formed by a single and a two-step rapid thermal silicidation
著者 (10件):
JIANG Yu-Long
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
RU Guo-Ping
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
HUANG Wei
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
QU Xin-Ping
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
LI Bing-Zong
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
AGARWAL Aditya
(Axcelis Technol., Inc., MA, USA)
,
CAI Gary
(Axcelis Technol., Inc., MA, USA)
,
POATE John
(Axcelis Technol., Inc., MA, USA)
,
DETAVERNIER Christophe
(Ghent Univ., Ghent, BEL)
,
VAN MEIRHAEGHE R L
(Ghent Univ., Ghent, BEL)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
20
号:
8
ページ:
716-719
発行年:
2005年08月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)