文献
J-GLOBAL ID:200902212411551554
整理番号:07A0905657
エピ-GaNテンプレート上に堆積したZnO薄膜の堆積後の原子テラス成長
Post-deposition atomic terraces growth of ZnO thin films deposited on epi-GaN templates
著者 (5件):
OKATO Takeshi
(Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, JPN)
,
SAKANO Tatsunori
(Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, JPN)
,
OBARA Minoru
(Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, JPN)
,
KAPPERS Menno J.
(Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
,
BLAMIRE Mark G.
(Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
253
号:
23
ページ:
9185-9190
発行年:
2007年09月30日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)