文献
J-GLOBAL ID:200902212438254667
整理番号:04A0536142
炭化けい素TUNNETTダイオード
Silicon carbide TUNNETT diodes
著者 (5件):
BUNIATYAN V V
(State Engineering Univ. Armenia, Yerevan, ARM)
,
AROUTIOUNIAN V M
(Yerevan State Univ., Yerevan, ARM)
,
ZEKENTES K
(FORTH, Heraklion, GRC)
,
CAMARA N
(FORTH, Heraklion, GRC)
,
SOUKIASSIAN P
(Commissariat a l’Energie Atomique, Gif sur Yvette, FRA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
48
号:
9
ページ:
1569-1577
発行年:
2004年09月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)