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著者 (6件)：
資料名：
巻： 21 号： 4 ページ： 1730-1733 発行年： 2003年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902212461726045
整理番号：03A0612135
化学蒸着によりホモエピタキシャル成長させ酸素を吸着させたNドープダイヤモンド(111)表面からの大面積電子放出
Broad area electron emission from oxygen absorbed homoepitaxially grown nitrogen (N)-doped chemical vapor deposited diamond (111) surface
YAMAGUCHI H
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
MINE T
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
SUZUKI Y
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
OKANO K
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
YAMADA T
(Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
SAWABE A
(Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 21 号： 4 ページ： 1730-1733 発行年： 2003年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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