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著者 (8件)：
資料名：
巻： 39 号： 14 ページ： 1084-1086 発行年： 2003年07月10日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902212467162968
整理番号：03A0528090
大パワーInGaAs-on-Si pin RFフォトダイオード
High-power InGaAs-on-Si pin RF photodiodes
TULCHINSKY D A
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
WILLIAMS K J
(Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
,
PAUCHARD A
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
BITTER M
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
PAN Z
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
HODGE L
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
HUMMEL S G
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
,
LO Y H
(Nova Crystals, Inc., CA, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 39 号： 14 ページ： 1084-1086 発行年： 2003年07月10日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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