文献
J-GLOBAL ID:200902212467187642
整理番号:04A0477541
ドープしたシリコン基板上の伝導性高分子ヒューズを用いた低スイッチング電圧有機-オン-無機ヘテロ接合記憶素子
A low switching voltage organic-on-inorganic heterojunction memory element utilizing a conductive polymer fuse on a doped silicon substrate
著者 (2件):
SMITH S
(Princeton Univ., New Jersey)
,
FORREST S R
(Princeton Univ., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
84
号:
24
ページ:
5019-5021
発行年:
2004年06月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)