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著者 (9件)：
資料名：
巻： 42 号： 2A ページ： 409-413 発行年： 2003年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902212512972259
整理番号：03A0184183
ホットキャリアストレス中,高電圧の横方向拡散した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの時間依存ドレイン及びソース直列抵抗
Time-Dependent Drain- and Source-Series Resistance of High-Voltage Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors during Hot-Carrier Stress.
CHEN S-H
(National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN)
,
GONG J
(National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN)
,
WU M-C
(National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN)
,
HUANG T-Y
(National Tsing Hua Univ., Hisnchu, TWN)
,
HUANG J-F
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LIOU R-H
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HSU S-L
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LEE L-L
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LEE H-C
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 2A ページ： 409-413 発行年： 2003年02月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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