Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (9件)：
資料名：
巻： 23rd ページ： 308-311 発行年： 2011年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201102264753826707
整理番号：11A1180096
600V級トレンチ充填超接合パワーMOSFETへの垂直電荷不平衡効果
Vertical Charge Imbalance Effect on 600V-class Trench-Filling Superjunction Power MOSFETs
TAMAKI T.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
NAKAZAWA Y.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
KANAI H.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
ABIKO Y.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
IKEGAMI Y.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
ISHIKAWA M.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
WAKIMOTO E.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
YASUDA T.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
,
EGUCHI S.
(Renesas Electronics Corp., Takasaki, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd ページ： 308-311 発行年： 2011年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。