文献
J-GLOBAL ID:201702224452734818
整理番号:17A0214235
先進FinFETプロセス開発を促進するためのB TI変動性と製品レベルの信頼性に関する一考察【Powered by NICT】
Consideration of BTI variability and product level reliability to expedite advanced FinFET process development
著者 (6件):
Lee Y.-H.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan)
,
Lee J H.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan)
,
Wang Y.F.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan)
,
Hsieh R.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan)
,
Tsai Y.S.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan)
,
Huang K.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
15.2.1-15.2.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)