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J-GLOBAL ID:201702263591905598   整理番号:17A0057930

異なる構造を持つ高出力GaN系白色LEDの劣化挙動と信頼性【Powered by NICT】

Degradation behaviors and reliability of high power GaN-based white LEDs with different structures
著者 (7件):
Cao Haicheng
(Semiconductor lighting Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing, P. R. China)
Fu Jiajia
(Semiconductor lighting Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing, P. R. China)
Zhao Lixia
(Semiconductor lighting Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing, P. R. China)
Sun Xuejiao
(Semiconductor lighting Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing, P. R. China)
Sun Baojuan
(Semiconductor lighting Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing, P. R. China)
Wang Junxi
(Semiconductor lighting Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing, P. R. China)
Li Jinmin
(Semiconductor lighting Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing, P. R. China)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2016  号: SSLChina  ページ: 74-79  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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