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J-GLOBAL ID:200901016006169882
Update date: Mar. 02, 2024
Junji Yamanaka
ヤマナカ ジュンジ | Junji Yamanaka
Affiliation and department:
Job title:
Associate Professor
Research field (1):
Crystal engineering
Research theme for competitive and other funds (8):
- 2021 - 2024 Investigation on the interface states at strained Si/SiO2 interfaces formed on Si(110) substrates
- 2018 - 2021 Control of defects and surface morphology on strained Si/SiGe/Si(110) structure using the ion implantation method
- 2015 - 2018 Development of high-mobility strained Si/SiGe/Si(110) heterostructure by suppression of dislocation generation
- 2013 - 2016 Formation technology development of high quality Ge/Si heterostructures using hydrogen radical
- 2010 - 2012 Development of selective heating method using microwave plasmaexcited species
- 2009 - 2011 Study on the formation of carbon thin films obtained by electron-beam-induced-chemical vapor deposition combined with ultra low-temperature tunneling reaction of H atoms at ultra low temperature
- 2006 - 2008 Study on the formation of hydrogenated silicon films and silicon nano-structural materials obtained by electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature
- 2006 - 2007 Selective and rapid heating method for polycrystallization of amorphous Si using microwave plasma irradiation
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Papers (117):
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Taisuke Fujisawa, Atsushi Onogawa, Miki Horiuchi, Yuichi Sano, Chihiro Sakata, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto. Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 161. 107476-107476
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K. Arimoto, T. Fujisawa, D. Namiuchi, A. Onogawa, Y. Sano, D. Izumi, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, K. Nakagawa. Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET and gated Hall bars formed on SiGe/Si(110) on the channel direction and the strained Si thickness. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2021
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Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke Hara, Keisuke Arimoto. Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré. MICROSCOPY AND MICROANALYSIS. 2021. 27. Supplement S1. 2326-2327
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K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto. Low temperature synthesis of photoconductive BaSi2 films by mechanochemically assisted close-spaced evaporation. Materials Advances. 2021
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D. Yazawa, K. O. Hara, J. Yamanaka, K. Arimoto. Investigations on Ba diffusion and SiO evaporation during BaSi2 film formation on Si substrates by thermal evaporation. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2021. 39. 4
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MISC (26):
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村上太陽, 有元圭介, 山中淳二, 原康祐, 山本千綾, 宇佐美徳隆, 星裕介, 有澤洋, 澤野憲太郎, 中川清和. イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 77th. ROMBUNNO.15p-P11-8
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Hiroshi Okamoto, Daichi Yamada, Hidefumi Narita, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Yukio Fukuda. Effect of postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition. Extended abstract of 9th International Workshop on New group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration". 2016. I-04-7-I-04-8
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有澤洋, 星裕介, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆. イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si1-xCxヘテロ構造の熱的安定性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2015. 76th. ROMBUNNO.13P-2W-5
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藤原幸亮, 酒井翔一朗, 小林昭太, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎. 歪みSi/Si1-xCx/Si(001)ヘテロ構造の結晶性と不純物活性化過程との関係. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2015. 62nd. ROMBUNNO.12P-P17-5
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有澤洋, 星裕介, 藤原幸亮, 山中淳二, 有元圭介, 中川清和, 澤野憲太郎, 宇佐美徳隆. Arイオン注入法を用いた圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2015. 62nd. ROMBUNNO.12A-D5-4
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Lectures and oral presentations (67):
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STEM-Moiré Applications to Crystalline Specimens without using High-End Microscopes
(2nd Canada - Japan Microscopy Societies Symposium 2021 2021)
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2段集束レンズ TEM を用いた NBD による SiGe 面間隔評価の試行
(日本顕微鏡学会第64回シンポジウム 2021)
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Si/SiGe/Si(110) 内双晶分布の X 線回折と TEM による評価
(日本顕微鏡学会第64回シンポジウム 2021)
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Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré
(Microscopy & Microanalysis 2021 2021)
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2 段集束レンズTEM を用いたNBD によるSi 面間隔評価の試行
(日本顕微鏡学会第77回学術講演会 2021)
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Professional career (2):
- 工学修士 (名古屋工業大学)
- 博士(工学) (東京工業大学)
Committee career (13):
- 2021/04/01 - 2022/03/31 国立大学法人機器・分析センター協議会 会員
- 2021/04/01 - 2022/03/31 大学連携研究設備ネットワーク 委員代理
- 2020/04/01 - 2021/03/31 大学連携研究設備ネットワーク 委員代理
- 2020/04/01 - 2021/03/31 国立大学法人機器・分析センター協議会 会員
- 2019/04/01 - 2020/03/31 大学連携研究設備ネットワーク 西関東・甲斐地域委員
- 2019/04/01 - 2020/03/31 国立大学法人機器・分析センター協議会 会員
- 2019/04/01 - 2020/03/31 大学連携研究設備ネットワーク 委員代理
- 2018/04/01 - 2019/04/01 大学連携研究設備ネットワーク 委員代理
- 2018/04/01 - 2019/03/31 大学連携研究設備ネットワーク 西関東・甲斐地域委員
- 2018/04/01 - 2019/03/31 国立大学法人機器・分析センター協議会 会員
- 2010/04/01 - 2018/03/31 大学連携研究設備ネットワーク 装置管理者
- 2017/04/01 - 大学連携研究設備ネットワーク 委員代理
- 2017/04/01 - 大学連携研究設備ネットワーク 西関東・甲斐地域委員
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Awards (3):
- 2013/07/12 - International Symposium on Sputtering and Plasma Processes (ISSP) 2013 ISSP 2013 Best Poster Award In situ formation of aluminum germanate interlayer for high-k/Ge metal-oxide-semiconductor structure by atomic layer deposition with trimethylaluminum and microwave-generated atomic oxygen
- 2013/05/21 - 日本顕微鏡学会 日本顕微鏡学会第69回学術講演会優秀ポスター賞[材料系] 選択エッチングとFE-SEM を活用したFe-Al-Ni合金中B2 析出物の形態観察
- 2001/03 - Kazato Research Foundation 風戸研究奨励金 難黒鉛化性フラン樹脂炭素の表面黒鉛化
Association Membership(s) (4):
日本金属学会
, 日本顕微鏡学会
, 応用物理学会
, Microscopy Society of America
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