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J-GLOBAL ID:200901016535970612
Update date: Apr. 26, 2020
Nakajima Akira
ナカジマ アキラ | Nakajima Akira
Affiliation and department:
旧所属 豊橋技術科学大学 博士後期課程 電子・情報工学専攻 米津研究室
About 旧所属 豊橋技術科学大学 博士後期課程 電子・情報工学専攻 米津研究室
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Job title:
大学院生
Homepage URL (1):
http://www.dev.eee.tut.ac.jp/yonezulab/
Research keywords (3):
MBE
, 成長
, 窒化物半導体
Research theme for competitive and other funds (2):
2002 - 2004 SiC基板上へのBAlNのMBE成長
ステップを形成したSiC基板上へのナノ構造の作製
MISC (2):
A Nakajima, Y Furukawa, S Koga, H Yonezu. Growth of high-quality A1N with low pit density on SiC substrates. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2004. 265. 3-4. 351-356
Growth of BAlN layers using decaborane on SiC substrates. Journal of Crystal Growth. to be published
Education (2):
- 2002 Toyohashi University of Technology
- 2000 Toyohashi University of Technology Faculty of Engineering
Professional career (1):
修士(工学) (豊橋技術科学大学)
Committee career (1):
応用物理学会 正会員
Association Membership(s) (1):
応用物理学会
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