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J-GLOBAL ID:200901018931668204   Update date: Aug. 26, 2020

Yamada Yoshinori

ヤマダ ヨシノリ | Yamada Yoshinori
Affiliation and department:
Job title: Others
Research field  (4): Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Crystal engineering ,  Applied materials
Research keywords  (6): デバイスシミュレーション ,  GaAs MESFET ,  半導体デバイス ,  Device Simulation ,  GaAs MESFET ,  Semiconductor Devices
Research theme for competitive and other funds  (6):
  • 2000 - 2002 並列処理とシミュレーション
  • 量子デバイスの電子輸送に関する研究
  • 半導体デバイスの計算機援用設計に関する研究
  • Parallel Processing and Simulation
  • Study on Electron Transport in Quantum Devices
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MISC (46):
  • Modeling heat flow term for device simulation of Submicron GaAs MESFETs. Bulletin of School of Information Science Kyusyu Tokai University. 2002. 129. 19. 13-19
  • Quasi Three-valley Hydrodynamic Model for Submicron Size GaAs Devices Based on Non-Maxwellian and Anisotropy. Bulletin of School of Information Science Kyusyu Tokai University. 2002. 129. 25. 13-25
  • サブミクロンGaAs MESFETのデバイスシミュレーションのための熱流項のモデリング. 九州東海大学紀要. 2002. 129. 19. 13-19
  • 非Maxwell分布と異方性を考慮したサブミクロンGaAsデバイスの電子輸送のための擬 三谷間流体力学モデル. 九州東海大学紀要. 2002. 129. 25. 13-25
  • 半導体GaAsデバイスのための擬三谷間流体力学モデル. 第5回システムシミュレーションおよび科学計算にかんする国際会議録. 2002. 881
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Works (44):
  • 擬三谷間拡張ドリフト拡散モデルによるGaAs MESFETの電子輸送の解析
    2003 -
  • An Analysis of Electron Transport of GaAs MESFETs Using Quasi Three-valley Extended Drift-diffusion Model
    2003 -
  • 擬三谷間流体力学モデルによるGaAs MESFETの電子輸送の解析
    2002 -
  • An Analysis of Electron Transport in GaAs MESFETs Using Quasi Three-valley Hydrodynamic Model
    2002 -
  • サブミクロンGaAsデバイスシミュレーションのためのモデリング
    2001 -
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Professional career (2):
  • Master(Engineering) (Kyushu University)
  • Doctor(Engineering) (Kyushu University)
Committee career (1):
  • 1987 - 1988 電子情報通信学会 電子デバイス専門委員
Association Membership(s) (3):
日本シミュレーション学会 ,  応用物理学会 ,  電子情報通信学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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