Rchr
J-GLOBAL ID:200901018931668204
Update date: Aug. 26, 2020
Yamada Yoshinori
ヤマダ ヨシノリ | Yamada Yoshinori
Affiliation and department:
Job title:
Others
Research field (4):
Electronic devices and equipment
, Electric/electronic material engineering
, Crystal engineering
, Applied materials
Research keywords (6):
デバイスシミュレーション
, GaAs MESFET
, 半導体デバイス
, Device Simulation
, GaAs MESFET
, Semiconductor Devices
Research theme for competitive and other funds (6):
MISC (46):
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Modeling heat flow term for device simulation of Submicron GaAs MESFETs. Bulletin of School of Information Science Kyusyu Tokai University. 2002. 129. 19. 13-19
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Quasi Three-valley Hydrodynamic Model for Submicron Size GaAs Devices Based on Non-Maxwellian and Anisotropy. Bulletin of School of Information Science Kyusyu Tokai University. 2002. 129. 25. 13-25
-
サブミクロンGaAs MESFETのデバイスシミュレーションのための熱流項のモデリング. 九州東海大学紀要. 2002. 129. 19. 13-19
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非Maxwell分布と異方性を考慮したサブミクロンGaAsデバイスの電子輸送のための擬 三谷間流体力学モデル. 九州東海大学紀要. 2002. 129. 25. 13-25
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半導体GaAsデバイスのための擬三谷間流体力学モデル. 第5回システムシミュレーションおよび科学計算にかんする国際会議録. 2002. 881
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Works (44):
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擬三谷間拡張ドリフト拡散モデルによるGaAs MESFETの電子輸送の解析
2003 -
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An Analysis of Electron Transport of GaAs MESFETs Using Quasi Three-valley Extended Drift-diffusion Model
2003 -
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擬三谷間流体力学モデルによるGaAs MESFETの電子輸送の解析
2002 -
-
An Analysis of Electron Transport in GaAs MESFETs Using Quasi Three-valley Hydrodynamic Model
2002 -
-
サブミクロンGaAsデバイスシミュレーションのためのモデリング
2001 -
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Professional career (2):
- Master(Engineering) (Kyushu University)
- Doctor(Engineering) (Kyushu University)
Committee career (1):
- 1987 - 1988 電子情報通信学会 電子デバイス専門委員
Association Membership(s) (3):
日本シミュレーション学会
, 応用物理学会
, 電子情報通信学会
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