0.4um MOS プロセス技術を用いた Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOS キャパシタ. 電子情報通信学会2001エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集. 2001. エレクトロニクス2
Multi-Pillar Surrounding Gate Transistor (M-SGT) type MOS Capacitor Using 0.4um MOS Technology. 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices. 2001. 257
A new Bit Line formation method for High-Density Floating Channel type SGT(FC-SGT)Flash Memory. Proceedings of the 2001 IEICE general conference. 2001. エレクトロニクス2. 87