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J-GLOBAL ID：200901028961011256   Update date: Feb. 14, 2024

Ujihara Toru

ウジハラ トオル | Ujihara Toru
Affiliation and department：
Nagoya University Institute of Materials and Systems for Sustainability Center for Integrated Research of Future Electronics Innovative Devices Section

About Nagoya University Institute of Materials and Systems for Sustainability Center for Integrated Research of Future Electronics Innovative Devices Section


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： https://ujihara.material.nagoya-u.ac.jp/
Research keywords  (13)： crystal growth, Solution growth, Vapor growth, SiC, Power device, Solar cell, Semiconductor photo-cathode, Spin observation, Bio-device, Semiconductor-Plasma membrane hybrid device, Lipid bilayer ,  脂質二重膜 ,  Lipid bilayer ,  Semiconductor-Plasma membrane hybrid device ,  Bio-device ,  Spin observation ,  Semiconductor photo-cathode ,  Solar cell ,  Power device ,  SiC ,  Vapor growth ,  Solution growth ,  crystal growth
Research theme for competitive and other funds  (46)：
  • 2022 - 2025 Complex crystal growth modeling and process design in latent space
  • 2020 - 2025 Revolution of semiconductor bulk crystal growth technique by transport phenomena combined with information technology
  • 2022 - 2024 酸化物へのインターカレーションによる熱伝導可変素子の開発
  • 2020 - 2022 Thermal switching device based on thermal properties change by intercalation
  • 2018 - 2021 AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発
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Papers (274)：
  • Sato, R, Kutsukake, K, Harada, S, Tagawa, M, Ujihara. Machine Learning for Semiconductor Process Simulation Described by Coupled Partial Differential Equations. ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS. 2023
  • Zhou, HQ, Zhou, Huiqin, Miura, H, Miura, Hitoshi, Dang, YF, Dang, Yifan, Fukami, Y, Fukami, Yuma, Takemoto, H, Takemoto, Hisaki, et al. Numerical Modeling of the Cellular Structure Formation Process in SiC Solution Growth for Suppression of Solvent Inclusions. CRYSTAL GROWTH & DESIGN. 2023. 23. 5. 3393-3401
  • Dang, Yifa, Liu, Xinbo,Zhu, Can, Fukami, Yuma,Ma, Shuyang , Zhou, Huiqin ,Liu, Xin, Kutsukake, Kentaro, et al. Modeling-Based Design of the Control Pattern for Uniform Macrostep Morphology in Solution Growth of SiC. CRYSTAL GROWTH & DESIGN. 2023. 23. 2. 1023-1032
  • Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada. Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces. Journal of Alloys and Compounds. 2023. 934
  • 原田 俊太, 小坂 直輝, 筒井 智嗣, 田中 克志, 田川 美穂, 宇治原 徹. 非弾性X線散乱によるルチル型酸化チタンのフォノン分散測定. SPring-8/SACLA利用研究成果集. 2022. 10. 6. 521-523
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MISC (3)：
Patents (47)：
  • Aln crystal preparation method, aln crystals, and organic compound including aln crystals
  • 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法
  • AlN単結晶の作製方法及びAlN単結晶
  • 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置
  • 炭化珪素粉粒体の製造方法
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Books (11)：
  • 「データ駆動型材料開発」オントロジーとマイニング、計測と実験装置の自動制御・マテリアルズ・インフォマティクスを加速化させ実験プロセスを革新する「データ駆動型材料開発」の全貌!・材料探索のオントロジー、文献情報の抽出、計測インフォマティクスから実験装置の自動制御まで!・新規触媒や電池材料など、最新のデータ駆動型材料探索手法も一挙掲載!
    (株)エヌ・ティー・エス 2021
  • ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果-『第3編 結晶成長・成膜法 第4章 溶液法によるSiC結晶成長法 ~SiCを事例として~』, 株式会社ニッケイ印刷 編
    株式会社エヌ・ティー・エス 2013
  • 『5 パワー半導体材料』, 「太陽エネルギー社会を築く材料テクノロジー(I) -材料デバイス編-」
    コロナ社 2013
  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向-普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-
    S&T出版 2012 ISBN:9784907002060
  • これで使える 機能性材料パーフェクトガイド
    講談社サイエンティフィク 2012
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Lectures and oral presentations  (864)：
  • Large Diameter SiC Crystal Growth assisted by AI technology
    (33th 2022 International Symposium on Micro-Nano Mechatronics and Human Science (MHS2022) 2023)
  • GaN気相成長における結晶表面状態予測のためのデジタルツインの構築
    (2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • GaN気相成長における結晶表面状態予測のための機械学習用特徴量抽出
    (2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション
    (2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • SiC溶液法における溶媒中の溶質-不純物間結合安定性の第一原理計算による解析
    (日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会 2023)
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Education (1)：
  • 1993 - 1995 Kyoto University Graduate School, Division of Engineering
Professional career (1)：
  • Doctor of Engineering (Kyoto University)
Work history (23)：
  • 2022/06 - 現在 株式会社UJ-Crystal 代表取締役
  • 2021/04 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研) エレクトロニクス・製造領域 研究戦略部 窒(現:研究企画室)化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ ラボ長
  • 2019/11 - 現在 株式会社アイクリスタル 取締役
  • 2018/06/01 - 現在 国立研究開発法人理化学研究所 革新知能統合研究センター 客員研究員
  • 2018/04/01 - 現在 三重県教育委員会 県立津高等学校スーパーサイエンスハイスクルール運営指導委員
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Committee career (3)：
  • 2021/08 - 2023/03 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 技術委員
  • 2021/03 - 2021/03 第8回アジア結晶成長・結晶技術国際会議(CGCT-8) 実行委員
  • 2020/11 - 2020/11 第49回結晶成長国内会議(JCCG-49) プログラム委員
Awards (23)：
  • 2019 - 応用物理学会講 第41回応用物理学会論文賞「応用物理学会論文奨励賞」 Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping
  • 2018/07/27 - 17th International Conference on Organized Molecular Films(ICOMF17) DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayer
  • 2018/03/19 - 応用物理学会講 第65回春季学術講演会 「応用物理学会講演奨励賞」 ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析
  • 2017/12/25 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会 「講演奨励賞」 " Students Award " 機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度
  • 2017/11/02 - 先進パワー半導体分科会 先進パワー半導体分科会 第4回講演会「研究奨励賞」 ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の刃状成分の解析
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Association Membership(s) (1)：
日本表面真空学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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