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J-GLOBAL ID：200901032150000561
Update date: Feb. 01, 2024
Ohta Jitsuo
オオタ ジツオ | Ohta Jitsuo
Affiliation and department：
Research field (5)：
Inorganic materials
, Electronic devices and equipment
, Crystal engineering
, Applied materials
, Electric/electronic material engineering
Research keywords (10)：
InGaN
, 低温
, Sic
, PLD
, III族窒化物
, パルス励起堆積法
, 低温成長
, optoelectronic devices
, two dimensional materials
, Nitride semiconductors
Research theme for competitive and other funds (1)：
- 2014 - 2015 Integration of Si-based MEMS and GaN-based light emitting devices on Si(111) by low-temperature growth technique
Patents (4)：
Lectures and oral presentations (256)：
-
導電性バッファー層を用いたSi基板上へのGaN薄膜成長
(結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015)
-
非晶質材料上に成長したGaN薄膜の特性評価
(結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 2015)
-
パルス励起堆積法による新奇ヘテロエピ構造の創製
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
-
GaN薄膜成長におけるHfNバッファ層の検討
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
-
ガラス基板上窒化物半導体薄膜トランジスタの特性
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015)
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Education (3)：
- 2001 - 2004 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 博士課程
- 1999 - 2001 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 修士課程
- 1995 - 1999 The University of Tokyo The Faculty of Engineering Department of Applied Chemistry
Professional career (1)：
Work history (4)：
- 2015/10 - 現在 JST
- 2005/09 - 現在 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
- 2004/10 - 2005/08 The University of Tokyo Institute of Industrial Science
- 2004/04 - 2004/10 KAST
Association Membership(s) (3)：
THE JAPANESE SOCIETY FOR SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH
, JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH
, THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
