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J-GLOBAL ID：200901032544518582 Update date: Apr. 28, 2020

Shimizu Keiichiro

シミズケイイチロウ | Shimizu Keiichiro

Research field (1)： Electric/electronic material engineering

Research keywords (4)：プラズマ物理 , 半導体デバイス工学 , 半導体プロセス技術 , 電子物性

Research theme for competitive and other funds (1)：

ESD(静電放電)回路シミュレーション大気圧プラズマ応用技術

Papers (12)：

清水啓一郎. シリコンゲルマニウム半導体の最新技術と将来展望. 国際技術情報誌 M&E 平成13年12月号 pp.106-pp.113. 2001
清水啓一郎. ハイビジョン用10ビットA/Dコンバータ AN8130K, 10ビットA/Dコンバータ AN8140K. National Technical Report, Vol.37, No.5, pp. 106-112, 1991. 1991
清水啓一郎. ハイビジョン用10ビット Bi-CMOS A/Dコンバータ AN8130K. National Technical Report, Vol.36, No.4, pp. 3-12, 1990. 1990
清水啓一郎. Optimization of Mask Layout for High-Speed IIL Device. Electronics and Communications in Japan, Part 2, Vol.71, No.9, pp.88-94, 1988. 1988
清水啓一郎. 高速IILにおけるマスク形状の最適化. 電子情報通信学会論文誌C, Vol.J70-C, No.10, pp.1399-1404, 1987. 1987

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MISC (13)：

S Sawada, T Ohnishi, T Saitoh, K Yuki, K Hasegawa, K Shimizu, PA Clifton, A Gallerano, A Pinto. A high performance 0.18 mu m BiCMOS technology employing high carbon content in the base layer of the SiGe HBT to achieve low variability of hFE. PROCEEDINGS OF THE 2003 BIPOLAR/BICMOS CIRCUITS AND TECHNOLOGY MEETING. 2003. 119-122
清水啓一郎. SiGe系高周波デバイスの現状と将来展望. 半導体産業フォーラム「化合物半導体の全貌,高周波デバイス用化合物半導体の展望」, 2001. 2001
清水啓一郎. Future Process Design for Mixed Signal Devices. Applied Materials Strategic Technology Symposium 1999. 1999
清水啓一郎. 高周波・低消費電力 Bi-CMOS プロセス技術. AMATエピタキシャル技術シンポジウム 1998. 1998
清水啓一郎. Bi-CMOS 8ビット直並列A/Dコンバータ. 情報通信学会技術研究報告シリコン材料・デバイス, SDM91-54, pp.51-57, 1991. 1991

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Professional career (1)：

工学博士

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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