Rchr
J-GLOBAL ID：200901043115990429   Update date: Sep. 05, 2022

Liu Yuhuai

リユウ ギヨクカイ | Liu Yuhuai
Homepage URL  (2)： http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/9955ece6076dd17b72ba51c466c9bc44.html ,  http://db.tohoku.ac.jp/whois/e_detail/9955ece6076dd17b72ba51c466c9bc44.html
Research field  (5)： Electric/electronic material engineering ,  Crystal engineering ,  Applied materials ,  Nano/micro-systems ,  Nanomaterials
Research keywords  (8)： 大陽電池 ,  半導体レーザー ,  結晶成長 ,  窒化物半導体 ,  solar cells ,  semiconductor lasers ,  crystal growth ,  nitride semiconductors
Research theme for competitive and other funds  (8)：
  • 2009 - 2009 光ファイバ通信用半導体レーザを目指した無極性M面GaN基板上へのInGaN成長技術の開発
  • 2009 - 2009 窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発
  • 2009 - 2009 Development of InGaN growth technology on nonpolar M-plane GaN for optical fiber communications with semiconductor laser
  • 2009 - 2009 Key technologies for high-efficiency solar cells using nitride semiconductors
  • 2006 - 温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究
Show all
MISC (78)：
ｍore...
Lectures and oral presentations  (97)：
  • Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (1) ~ The Growth Mechanisms ~
    (The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010)
  • Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2) ~ Towards the Dense Films under High-Temperature Growth ~
    (The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010)
  • Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (3) ~ Temperature Dependence on Structure Properties ~
    (The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010)
  • Growth of InN by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (4) ~ Optical and Electrical Properties ~
    (The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010)
  • Progresses in GaN Growth on ZnO Substrate
    (The 5th International Symposium on Medical, Bio- and Nano-Electronics 2010)
ｍore...
Works (4)：
  • 光ファイバ通信用半導体レーザを目指した無極性M面GaN基板上へのInGaN成長技術の開発
    2009 - 2010
  • 窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発
    2009 - 2010
  • 光ファイバ通信用半導体レーザを目指した無極性M面GaN基板上へのInGaN成長技術の開発
    2009 - 2010
  • 窒化物半導体を用いた超高効率「太陽電池要素技術」の開発
    2009 - 2010
Education (2)：
  • - 1999 中国科学院安徽光学精密機械研究所 物理学研究科 レーザ物理
  • - 1993 安徽師範大学 理学部 物理学科、物理教育専攻
Professional career (1)：
  • Ph.D. (Chinese Academy of Sciences)
Work history (9)：
  • 2003 - 2007 Mie University Faculty of Engineering
  • 2003 - 2007 Faculty of Engineering, Mie University Researcher
  • 2007 - - 東北大学 金属材料研究所 助教授
  • 2007 - - Institute for Materials Research, Tohoku University Assistant Professor
  • 2000 - 2003 The University of Tokushima
Show all
Awards (4)：
  • 2009 - 東北大学金属材料研究所第117回講演会優秀ポスター賞
  • 2009 - 東北大学金属材料研究所第117回講演会優秀ポスター賞
  • 1999 - 中国科学院大恒光学賞
  • 1999 - Dahen Optics Awards of Chinese Academy of Sciences
Association Membership(s) (4)：
応用物理学会 ,  結晶成長学会 ,  Japan Society of Applied Physics ,  Japan Society of Crystal Growth
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM