Rchr
J-GLOBAL ID:200901058025487377   Update date: Feb. 01, 2024

Yoshitake Tsuyoshi

ヨシタケ ツヨシ | Yoshitake Tsuyoshi
Affiliation and department:
Job title: Prof.
Homepage URL  (2): http://yoshitake.private.coocan.jp/univ_lab/index-j.htmhttp://yoshitake.private.coocan.jp/univ_lab/index-e.htm
Research field  (3): Inorganic materials ,  Electric/electronic material engineering ,  Thin-film surfaces and interfaces
Research keywords  (6): ダイヤモンド ,  半導体 ,  薄膜 ,  Diamond ,  semiconductor ,  Thin Film
Research theme for competitive and other funds  (22):
  • 2021 - 2024 Development of new physical methods for forming single photon sources in nanodiamond films
  • 2019 - 2023 Key factors that predominantly affact electrical and mechanical properties of ultrananpcrystalline diamond films
  • 2017 - 2020 Development of nanocarbon thin films for all-carbon photovoltaics
  • 2016 - 2019 Spin injection to nanodiamond films
  • 2015 - 2018 Opt-electrical properties of nanodiamond films and their application to photovoltaics
Show all
Papers (314):
  • Mohamed Ragab Diab, Mohamed Egiza, Koki Murasawa, Shinya Ohmagari, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake. Revealing mechanical and structural properties of Si-doped nanodiamond composite films through applied biasing voltages on WC - Co substrates. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. 2024. 119. 106518-106518
  • Nattakorn Borwornpornmetee, Thawichai Traiprom, Takafumi Kusaba, Phongsaphak Sittimart, Hiroshi Naragino, Boonchoat Paosawatyanyong, Tsuyoshi Yoshitake, Nathaporn Promros. Wetting state and mechanical property alteration for the Fe3Si films using rapid thermal annealing under various temperatures. Heliyon. 2023. 9. 12. e22511-e22511
  • Mohamed Ragab Diab, Mohamed Egiza, Koki Murasawa, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake. Effects of Target-Substrate Distance on Growth and Mechanical Characteristics of Nanodiamond Composite Coatings Fabricated by Coaxial Arc Plasma Deposition on WC-Co Substrate. Proceedings of International Exchange and Innovation Conference on Engineering & Sciences (IEICES). 2023. 9. 253-260
  • Takafumi Kusaba, Phongsaphak Sittimart, Yuki Katamune, Taisuke Kageura, hiroshi naragino, Shinya Ohmagari, Sreenath Mylo Valappil, Satoki Nagano, abdelrahman Zkria, Tsuyoshi YOSHITAKE. Heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 thin films on singlecrystalline diamond (111) substrates by radio frequency magnetron sputtering. Applied Physics Express. 2023
  • Atusaye G. Sichali, Hussien Noby, Hiroshi Naragino, Tsuyoshi Yoshitake, Ahmed H. El-Shazly. Successful preparation of polyaniline-modified polystyrene novel composite membrane. Journal of Applied Polymer Science. 2023
more...
MISC (228):
  • 田中佑樹, 吉田智博, 内田聖也, 村澤功基, 福井康雄, 櫻井正俊, 工藤昌輝, 鳥山誉亮, 吉武 剛. CAPD 法によるナノコンポジット窒化アルミニウム薄膜の合成. 2019
  • Rei Fukuta, Naoya Yamamoto, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Tsuyoshi Yoshitake, Hiroshi Ikenoue, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune. Pulsed laser irradiation as a process of conductive surface formation on nanopolycrystalline diamond. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 11
  • Nishikawa Naofumi, Takeichi Satoshi, Hanada Takanori, Tategami Shuya, Fukuyama Atsuhiko, Yoshitake Tsuyoshi. Minority carrier lifetime in ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films. Transactions of the Materials Research Society of Japan. 2018. 43. 2
  • Nishikawa Naofumi, Takeichi Satoshi, Hanada Takanori, Tategami Shuya, Fukuyama Atsuhiko, Yoshitake Tsuyoshi. Minority carrier lifetime in ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films. Transactions of the Materials Research Society of Japan. 2018. 43. 6
  • 花田尊徳, 大曲新矢, 竹市悟志, 吉武剛. Bドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド膜/メタル界面のショットキー障壁高さ評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 63rd
more...
Patents (6):
  • 発明の名称:ダイヤモンド薄膜の形成方法 出願番号:特願2002-253766 提出日:2002年8月30日 発明者:吉武 剛、永山邦仁、原 武嗣 特許出願者人:科学技術振興事業団
  • 発明の名称:鉄シリサイド半導体薄膜およびその製造方法 出願番号:特願2002-200948 提出日:2002年7月10日 発明者:吉武 剛、前田佳均、宮尾正信、佐道泰造 特許出願者人:科学技術振興事業団
  • 発明の名称: β-FeSi2薄膜の作製方法 出願番号:特願2001-386820 提出日:平成13年12月19日 発明者:吉武 剛 特許出願者人:科学技術振興事業団
  • 発明の名称:半導体特性を示すアモルファス鉄シリサイド膜とその作製方法 出願番号:特願2001-386824 提出日:平成13年12月19日 発明者:吉武 剛 特許出願者人:科学技術振興事業団
  • 発明の名称 : レーザーアブレーション法成膜装置および成膜方法、出願番号 : 特願2001-165793、提出日平成13年5月30日、発明者 : 吉武 剛、特許出願者人 : 科学技術振興事業団
more...
Books (3):
  • 3.4節パルスレーザ堆積法&3.5節スパッタリング成膜法 in シリサイド系半導体の科学と技術: 資源・環境時代の新しい半導体と関連物質(前田佳均編)
    裳華房 2014
  • n-Type β-FeSi2/p-type Si near-infrared photodiodes prepared by facing-targets direct-current sputtering
    InTech Open Access Publisher 2010
  • レーザーマイクロ・ナノプロセッシング
    シーエムシー出版 2004
Lectures and oral presentations  (733):
  • 同軸型アークプラズマ成膜法による導電性超ナノ微結晶ダイヤモンド電極の作製
    (第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
  • 窒素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド電極の作製と CO2還元特性
    (第12回半導体材料・デバイスフォーラム 2021)
  • 鉄シリサイド半導体を用いた横型スピンバルブ素子
    (第12回半導体材料・デバイスフォーラム 2021)
  • p-Type diamond/n-type β-Ga2O3 heterojunctions fabricated using direct-bonding technique
    (2021 MRS Fall Meeting 2021)
  • シリコン基板上に成膜されたナノダイヤモンド混相膜の機械的・構造的特性に基板温度及び中間層がもたらす影響
    (2021年(令和3年度)応用物理学会九州支部学術講演会 2021)
more...
Works (1):
  • 回転フィルターを用いたドロップレットフリー薄膜の作製技術
    2002 -
Professional career (1):
  • Dr. Eng.
Awards (4):
  • 2000 - 日本MRS奨励賞
  • 1999 - 日本MRS奨励賞
  • 1998 - 日本MRS奨励賞
  • 1998 - 応用物理学会春季講演会講演奨励賞
Association Membership(s) (4):
日本MRS ,  電気学会 ,  応用物理学会 ,  日本応用磁気学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page