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J-GLOBAL ID：200901091750431201   Update date: Apr. 22, 2024

Yano Hiroshi

ヤノ ヒロシ | Yano Hiroshi
Affiliation and department：
University of Tsukuba Faculty of Pure and Applied Sciences

About University of Tsukuba Faculty of Pure and Applied Sciences


Job title： Associate Professor
Papers (152)：
  • Fu, Wei, Yano, Hiroshi, Sakurai, Takeaki, Ueda, Akiko. The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2023. 16. 8
  • 髙橋光希, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki. Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress. Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. 2023. 250-253
  • 秋葉淳宏, 矢野, 裕司. チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価. 第70回応用物理学会春季学術講演会 予稿集. 2023. 12-095
  • 柏佳介, 髙橋光希, 北村雄大, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki. Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC1073. SC2073-1-SC1073-10
  • 秋葉淳宏, 矢野, 裕司. 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係. 先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集. 2022. 73-74
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Patents (1)：
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
Books (2)：
  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    シーエムシー出版 2021 ISBN:9784781316130
  • Compound Semiconductor
    Angel Business Communications publication 2017
Lectures and oral presentations  (154)：
  • 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
    (電気学会電子デバイス研究会)
  • チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
    (第70回応用物理学会春季学術講演会)
  • SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
    (令和5年電気学会全国大会)
  • SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
    (令和5年電気学会全国大会)
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価:酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
    (先進パワー半導体分科会 第9回講演会)
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Committee career (40)：
  • 2023/04 - 現在 SiCアライアンス 技術・普及WG/グループリーダー
  • 2022/10 - 現在 SSDM 2023 Program Committee/JJAP Special Issues Editors
  • 2022/10 - 現在 ICSCRM 2023 Technical Program Committee/Member
  • 2022/09 - 現在 ICSCRM International Steering Committee/Member
  • 2022/01 - 現在 SSDM 2022 Program Committee/JJAP Special Issues Editors
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※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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