Art

J-GLOBAL ID：200902000011820907   Reference number：84A0256837

High concentration Sb diffusion into silicon using auxiliary wafers and optimum conditions.

補助ウエハを用いたシリコンへの高濃度Sb拡散と最適条件

Author (3)： NANBA M (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  KOZUKA H (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  NAKAMURA S (Hitachi Ltd., Tokyo)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 131  Issue： 1  Page： 190-196  Publication year： Jan. 1984 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0256837&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Diffusion in solids in general  (BL06021L)

Terms in the title (6)： ウエハ ,  シリコン ,  高濃度 ,  Sb ,  拡散 ,  最適条件