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J-GLOBAL ID：200902000022893493   Reference number：93A0180301

Selective Growth of Cubic SiC on Si by Chemical Vapor Deposition.

Author (4)： NISHINO S (Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN) ,  TAKAHASHI K (Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN) ,  ISHIDA H (Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN) ,  SARAIE J (Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN)
Material： Amorphous and Crystalline Silicon Carbide 3 and Other Group 4-4 Materials  (Amorph Cryst Silicon Carbide 3 Other Group 4-4 Mater)
Page： 295-300  Publication year： 1992 
JST Material Number： K19930052  ISBN： 3-540-53603-5  Document type： Proceedings
Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (2)： SiC ,  Si