Art

J-GLOBAL ID：200902000031776866   Reference number：88A0353292

A DLTS analysis of electron and hole traps in VPE grown n-GaAs using Schottky barrier diodes.

Schottky障壁ダイオードを用いたVPE成長n-GaAs中の電子及び正孔トラップのDLTS解析

Author (3)： AURET F D (Univ. Port Elizabeth, Port Elizabeth, ZAF) ,  NEL M (Univ. Port Elizabeth, Port Elizabeth, ZAF) ,  LEITCH A W R (Univ. Port Elizabeth, Port Elizabeth, ZAF)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 17  Issue： 2  Page： 111-113  Publication year： Mar. 1988 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： deep level transient spectroscopy ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (2)： Thyristors  (NC03060C) ,  Electron spectroscopy  (BM09060K)

Terms in the title (7)： Schottky障壁ダイオード ,  VPE成長 ,  GaAs ,  電子 ,  正孔トラップ ,  DLTS ,  解析