Art

J-GLOBAL ID：200902000037251188   Reference number：82A0029780

Absorption edge shift in ZnO thin films at high carrier densities.

高キャリア密度におけるZnO薄膜の吸収端シフト

Author (3)： ROTH A P (National Research Council Canada) ,  WEBB J B (National Research Council Canada) ,  WILLIAMS D F (National Research Council Canada)
Material： Solid State Communications  (Solid State Commun)
Volume： 39  Issue： 12  Page： 1269-1271  Publication year： Sep. 1981 
JST Material Number： H0499A  ISSN： 0038-1098  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： zinc oxide ,...

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JST classification (3)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of inorganic compounds  (BM08063C) ,  Visible and ultraviolet spectra of semiconductors  (BM08083Y)

Terms in the title (4)： キャリア密度 ,  ZnO薄膜 ,  吸収端 ,  シフト