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J-GLOBAL ID：200902000039458367   Reference number：92A0283748

A Comparative Study of the Effects of Dynamic Stressing on High-field Endurance and Stability of Reoxidized-Nitrided, Fluorinated and Conventional Oxides.

再酸化-窒化,ふっ素処理と従来の酸化物の高電界耐性と安定性における動的ストレス印加効果の比較研究

Author (8)： LIU Z H (Univ. California, CA, USA) ,  ROSENBAUM E (Univ. California, CA, USA) ,  KO P K (Univ. California, CA, USA) ,  HU C (Univ. California, CA, USA) ,  CHENG Y C (City Polytechnic of Hong Kong, HKG) ,  SODLNI C G (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  GROSS B J (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  MA T P (Yale Univ., CT, USA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1991  Page： 723-726  Publication year： 1991 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： oxide ,...
Semi thesaurus term： Time-Dependent Dielectric Breakdown

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (10)： 再酸化 ,  窒化 ,  ふっ素処理 ,  酸化物 ,  高電界 ,  耐性 ,  安定性 ,  ストレス ,  印加 ,  研究