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J-GLOBAL ID：200902000052812323   Reference number：82A0336096

Investigation of interface states in MIS-type Al-,Au- and Sn-GaAs Schottky barriers with a thin interfacial oxide layer.

薄い界面酸化物層をもつMIS型のAl-,Au-およびSn-GaAs Schottky障壁の界面準位の研究

Author (4)： Van MEIRHAEGHE R L (Rijksuniv. Gent, Belgium) ,  LAFLERE W H (Rijksuniv. Gent, Belgium) ,  LI Yu-M (Rijksuniv. Gent, Belgium) ,  CARDON F (Rijksuniv. Gent, Belgium)
Material： Journal of Physics. D. Applied Physics  (J Phys D)
Volume： 14  Issue： 8  Page： 1505-1512  Publication year： Aug. 14, 1981 
JST Material Number： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MIS structure ,...

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JST classification (2)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (10)： 界面 ,  酸化物層 ,  MIS ,  Al ,  Au ,  Sn ,  GaAs ,  Schottky障壁 ,  界面準位 ,  研究