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J-GLOBAL ID：200902000054218062   Reference number：86A0110428

A GaAs 16-Kbit static RAM using dislocation-free crystal.

転位のない結晶を使用したGaAs16KbitスタチックRAM

Author (6)： HIRAYAMA M (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  TOGASHI M (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  KATO N (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  SUZUKI M (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  MATSUOKA Y (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  KAWASAKI Y (Atsugi Electrical Communication Lab.)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 33  Issue： 1  Page： 104-110  Publication year： Jan. 1986 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： random access memory ,...

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JST classification (2)： General  (NC03161C) ,  Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (3)： 転位 ,  結晶 ,  RAM