Art

J-GLOBAL ID：200902000054763397   Reference number：86A0298445

Study of the interaction of plasmas with III-V semiconductor surfaces, application to passivation.

III-V半導体表面とプラズマの相互作用の研究とその不動態化への応用

Author (6)： FRIEDEL P (Lab. Electronique et de Physique Applique ́e, France) ,  GOURRIER S (Lab. Electronique et de Physique Applique ́e, France) ,  THEETEN J B (Lab. Electronique et de Physique Applique ́e, France) ,  ARNOULT D (Lab. Electronique et de Physique Applique ́e, France) ,  TAILLEPIED M (Lab. Electronique et de Physique Applique ́e, France) ,  ERMAN M (Lab. Electronique et de Physique Applique ́e, France)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 168  Issue： 1/3  Page： 635-644  Publication year： Mar. 1986 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0298445&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0129B") }}

JST classification (1)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (6)： III-V半導体 ,  プラズマ ,  相互作用 ,  研究 ,  不動態化 ,  応用