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J-GLOBAL ID：200902000059153465   Reference number：92A0840600

On the Gate-Drain Breakdown in the Double-Recessed Structure GaAs MESFET with a Slightly Doped Surface Layer.

ステップドープ埋め込みゲート構造GaAs MESFETのチャネル構造とゲート耐圧の関係

Author (4)： OKAMOTO YASUHIRO (日本電気) ,  IWATA NAOTAKA (日本電気) ,  TAKAHASHI HIDEOMI (日本電気) ,  KUZUHARA MASAAKI (日本電気)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 53rd  Issue： 3  Page： 1140  Publication year： Sep. 1992 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： ドープ ,  埋め込み ,  ゲート ,  GaAs ,  MESFET ,  耐圧