Art

J-GLOBAL ID：200902000061172850   Reference number：84A0010408

Elimination du bore dans le silicium par fusion de zone sous plasma inductif haute fre ́quence: Role des plasmas re ́actifs et du laitier. Caracte ́risation du silicium photovoltai ̈que.

高周波誘導プラズマ下でのゾーン融解によるシリコン中のほう素の除去 反応性プラズマとスラグの役割 光起電力用シリコンの特性評価

Author (4)： MORVAN D (Ecole Nationale Supe ́rieure de Chimie de Paris) ,  AMOUROUX J (Ecole Nationale Supe ́rieure de Chimie de Paris) ,  CHARPIN M C (Ecole Nationale Supe ́rieure de Chimie de Paris) ,  LAUVRAY H (Photowatt International S.A., France)
Material： Revue de Physique Appliquee  (Rev Phys Appl)
Volume： 18  Issue： 4  Page： 239-251  Publication year： Apr. 1983 
JST Material Number： B0655A  ISSN： 0035-1687  CODEN： RPHAA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： France (FRA)  Language： FRENCH (FR)

Thesaurus term： zone melting ,...
Semi thesaurus term： oxidizing slag

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0010408&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0655A") }}

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Terms in the title (10)： 高周波 ,  誘導プラズマ ,  ゾーン融解 ,  シリコン ,  ほう素 ,  反応性プラズマ ,  スラグ ,  役割 ,  光起電力 ,  特性評価