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J-GLOBAL ID：200902000071302140   Reference number：83A0008418

Hot electrons in MOS transistors: Lateral distribution of the trapped oxide charge.

MOSトランジスタにおける熱い電子 トラップされた酸化物電荷の横方向分布

Author (5)： LOMBARDI C (SGS-ATES, Italy) ,  OLIVO P (Univ. Bologna, Italy) ,  RICCO B (Univ. Padova, Italy) ,  SANGIORGI E (Univ. Bologna, Italy) ,  VANZI M (SGS-ATES, Italy)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 3  Issue： 7  Page： 215-217  Publication year： Jul. 1982 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： MOSトランジスタ ,  熱い電子 ,  酸化物 ,  電荷 ,  横方向 ,  分布