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J-GLOBAL ID：200902000081866513   Reference number：88A0567865

Selectively δ-doped quantum well transistor grown by gas-source molecular-beam epitaxy.

ガスを供給源とした分子ビームエピタクシーにより成長した選択δドープ量子井戸トランジスタ

Author (7)： KUO T Y (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CUNNINGHAM J E (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  SCHUBERT E F (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  TSANG W T (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CHIU T H (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  REN F (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  FONSTAD C G (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 64  Issue： 6  Page： 3324-3327  Publication year： Sep. 15, 1988 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 供給源 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  δドープ ,  量子井戸 ,  トランジスタ