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J-GLOBAL ID：200902000083544190   Reference number：90A0919906

Fabrication of a-Si:H thin film transistors for LCD switching devices using a large area ion doping system.

大面積イオンドーピング装置を用いたLCD用a-Si:H TFTアレイの作製 I

Author (5)： YOSHIDA ATSUHISA (松下電器産業) ,  KITAGAWA MASATOSHI (松下電器産業) ,  NUKAYAMA MASAAKI (日新電機) ,  ANDO YASUNORI (日新電機) ,  HIRAO TAKASHI (松下電器産業)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 2  Page： 749  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (7)： 大面積 ,  イオン ,  ドーピング ,  LCD ,  Si ,  TFTアレイ ,  作製