Art

J-GLOBAL ID：200902000101593462   Reference number：89A0076041

Variable profile poly-Si etching with low temperature RIE and HBr gas.

HBrガスを用いた低温RIEによるpoly-Siのエッチング形状制御

Author (3)： NAKAMURA M (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  IIZUKA K (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN) ,  YANO H (Fujitsu Ltd., Kawasaki, JPN)
Material： Proceedings of Symposium on Dry Process  (ドライプロセスシンポジウム)
Volume： 10th  Page： 58-63  Publication year： Oct. 1988 
JST Material Number： Y0378A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： RIE ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： HBr ,  低温 ,  RIE ,  Si ,  エッチング ,  形状制御