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J-GLOBAL ID：200902000129063477   Reference number：90A0547775

Tunneling dynamics and resonant coupling of electrons in GaAs/AlAs coupled double quantum-well structures under electric fields.

電場の下でのGaAs/AlAs結合二重量子井戸構造内の電子のトンネリング動特性と共鳴結合

Author (3)： MATSUSUE T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKAKI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： OSA Proceedings on Picosecond Electronics and Optoelectronics, 1989  (OSA Proc Picosecond Electron Optoelectron 1989)
Page： 254-257  Publication year： 1989 
JST Material Number： K19900396  ISBN： 1-55752-110-7  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dual structure ,...

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JST classification (1)： 界面の電気的性質一般【’81~’92】  (BM03071W)

Terms in the title (8)： 電場 ,  GaAs ,  AlAs ,  二重量子井戸 ,  電子 ,  トンネリング ,  動特性 ,  共鳴