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J-GLOBAL ID：200902000132193365   Reference number：91A0059249

Effects of off orientation on the nucleation stages of GaAs on Si(001).

GaAs on Si成長の核生成への基板傾斜角の影響

Author (2)： KAWANAMI HITOSHI (電総研) ,  HAYASHI YUTAKA (電総研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 1  Page： 278  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： GaAs ,  Si ,  成長 ,  核生成 ,  傾斜角